Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: VBE
Certificación: ISO9001
Número de modelo: VBP58-64GU
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 1set
Precio: Customized Product
Detalles de empaquetado: embalaje neutral
Tiempo de entrega: 7-15 días
Condiciones de pago: T / T, Western Union,
Capacidad de la fuente: 10000 PC por mes
Nombre del producto: |
C-banda 5850-6425MHz RF encima del convertidor |
Banda de frecuencia de la entrada: |
70MHz±20MHz |
Gama de frecuencia de la salida: |
5850 megaciclos ~6425 megaciclos |
Aumento de la conversión: |
30dB~50dB |
Conector: |
SMA/N/BNC |
Fuente de alimentación: |
CA 153V~265V |
Nombre del producto: |
C-banda 5850-6425MHz RF encima del convertidor |
Banda de frecuencia de la entrada: |
70MHz±20MHz |
Gama de frecuencia de la salida: |
5850 megaciclos ~6425 megaciclos |
Aumento de la conversión: |
30dB~50dB |
Conector: |
SMA/N/BNC |
Fuente de alimentación: |
CA 153V~265V |
C-banda 5850-6425MHz RF encima del convertidor, módulo del amplificador de potencia del RF
Instrucciones del módulo del amplificador de potencia de VBE RF:
Las soluciones de VBE de los módulos del RF incluyendo fuente de la señal de la radiofrecuencia, el amplificador de potencia de radiofrecuencia (PA), el amplificador de poco ruido (LNA), la unidad al aire libre de la radiofrecuencia (ODU) y la solución modificada para requisitos particulares del módulo de la radiofrecuencia, la banda de la P-onda de la cubierta de la banda de frecuencia, la banda de la L-onda, la banda de la S-onda, la banda de la Ku-onda y la Ka-onda congriegan y así sucesivamente, ampliamente aplicándose en sistema de gama alta del equipo. El módulo adopta varia tecnología avanzada en el producto que diseña y satisface diverso requisito de la función y de la parametrización para la optimización del tratamiento.
Especificaciones técnicas:
| Artículo | Índice | Observaciones |
| Gama de InputFrequency | 70MHz±20MHz | |
| Gama de OutputFrequency | 5850 megaciclos ~6425 megaciclos | |
| Paso de la frecuencia | 1MHz /125KHz/1KHz | |
| Compresión del DB P1 | ≥+10dBm | A elección |
| Aumento de la conversión | 30dB~50dB | |
| Control de ganancia | 50dB/30dB, paso 1dB/0.5dB | A elección |
| Llanura del aumento | ±2.5dB/In-band, ±0.8dB/40MHz | A elección |
| Estabilidad del aumento | ±0.5dB | |
| Estabilidad de la frecuencia | ±1×10-7/year, ±1×10-8/day | |
| Ruido de la fase | -70dBc/Hz @100Hz, -75dBc/Hz @1KHz -80dBc/Hz @10KHz, -90dBc/Hz @100KHz |
|
| Salida de LO | ≤-65dBm | |
| Salida falsa | ≤-60dBc | |
| intermodulación del Multi-portador | ≤-42dBc (0dBm de potencia de salida dual-carrierTotal) | |
| Supresión armónica | ≤-40dBc (0dBm de potencia de salida total) | |
| Conector | SMA/N/BNC | A elección |
| Pérdida de vuelta | ≥ 20dB | |
| Fuente de alimentación | CA 153V~265V | |
| Consumo de energía | ≤40W | |
| Temperatura de trabajo | 0 ~50 grados Celsius | |
| Temperatura de trabajo | -10 a 60 grados Celsius | |
| Dimensión | 500×482.6×43.7m m |
Características de producto:
Usos:
