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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: VBE

Certificación: ISO

Número de modelo: VBE6003H

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1pcs

Detalles de empaquetado: embalaje neutral

Tiempo de entrega: 5-8 días laborables

Capacidad de la fuente: 10k

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Especificaciones
Alta luz:

TRANSISTOR DEL RF DEL PODER MÁS ELEVADO

,

transistor de poder de alta frecuencia

,

Banda ancha del transistor de poder del RF

Condición:
Nuevo y Original
Condición:
Nuevo y Original
Descripción
Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

 

Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios 0

Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios 1

Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios 2

Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios 3

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