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DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

Name: DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF
Brand: VBE
SKU: VBE6006H
Rating: 4.5 (156 reviews)

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: VBE

Certificación: ISO

Número de modelo: VBE6006H

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Cantidad de orden mínima: 1pcs

Detalles de empaquetado: embalaje neutral

Tiempo de entrega: 5-8 días laborables

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Condición:

Nuevo y Original

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Nuevo y Original

Descripción

DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF 0

DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF 1

DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF 2

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Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

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