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Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

Name: Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado
Brand: VBE
SKU: VBE36015E2
Rating: 4.7 (122 reviews)

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: VBE

Certificación: ISO

Número de modelo: VBE36015E2

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1pcs

Detalles de empaquetado: embalaje neutral

Tiempo de entrega: 5-8 días laborables

Capacidad de la fuente: 10k

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Alta luz: 
                                                                                                                                            TRANSISTOR DEL RF DEL PODER MÁS ELEVADO, transistor del amplificador de potencia del rf, Transistor de poder ancho del RF de la banda
                                                      

Condición:

Nuevo y Original

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Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

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