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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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50W 2 3 divisor femenino 800-2700MHz del poder de 4 maneras N RF

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: VBE

Número de modelo: VBE-S2/S3/S4

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1PCS

Detalles de empaquetado: Embalaje neutral

Tiempo de entrega: 5 a 10 días laborables

Capacidad de la fuente: 100000PCS por mes

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Especificaciones
Alta luz:

Divisor femenino del poder de N RF

,

divisor del poder de 50W RF

,

divisor del RF de la manera 2700MHz 4

Conector del RF:
N-femenino
Manejo de la potencia (W):
50
Impedancia (Ω):
50
V.S.W.R:
≤1.25
Directividad (dB):
≥20
Gama de frecuencia (megaciclos):
806~960 y 1710~2500
Conector del RF:
N-femenino
Manejo de la potencia (W):
50
Impedancia (Ω):
50
V.S.W.R:
≤1.25
Directividad (dB):
≥20
Gama de frecuencia (megaciclos):
806~960 y 1710~2500
Descripción
50W 2 3 divisor femenino 800-2700MHz del poder de 4 maneras N RF

Divisor 800-2700MHz 2 del poder del RF/4 manera manera/3 maneras

Características:

Pérdida de inserción baja, alto aislamiento, confiable, conveniente para el sistema de comunicación móvil de la microonda.

Los parámetros específicos se pueden diseñar según las exigencias del consumidor.

Usos:

Optimización de la red de comunicaciones móviles y sistema de distribución interior.

Especificaciones técnicas:

Artículos bidireccional de tres vías 4-way
Modelo NO. VBE-S2 VBE-S3 VBE-S4
Gama de frecuencia (megaciclos) 806~960 y 1710~2500
Pérdida de divisor (DB) 3 4,8 6
Pérdida de inserción (DB) ≤0.3 ≤0.4 ≤0.6
Directividad (DB) ≥20
Intermodulación ≥140dBc (+43dBm*2)
V.S.W.R ≤1.25
Impedancia (Ω) 50
Manejo de la potencia (W) 50
Conector del RF N-femenino
Temperatura de funcionamiento -35 ºC del ºC ~+60

50W 2 3 divisor femenino 800-2700MHz del poder de 4 maneras N RF 0

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