Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: VBE
Número de modelo: VBE-S2/S3/S4
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 1PCS
Detalles de empaquetado: Embalaje neutral
Tiempo de entrega: 5 a 10 días laborables
Capacidad de la fuente: 100000PCS por mes
Conector del RF: |
N-femenino |
Manejo de la potencia (W): |
50 |
Impedancia (Ω): |
50 |
V.S.W.R: |
≤1.25 |
Directividad (dB): |
≥20 |
Gama de frecuencia (megaciclos): |
806~960 y 1710~2500 |
Conector del RF: |
N-femenino |
Manejo de la potencia (W): |
50 |
Impedancia (Ω): |
50 |
V.S.W.R: |
≤1.25 |
Directividad (dB): |
≥20 |
Gama de frecuencia (megaciclos): |
806~960 y 1710~2500 |
Divisor 800-2700MHz 2 del poder del RF/4 manera manera/3 maneras
Características:
Pérdida de inserción baja, alto aislamiento, confiable, conveniente para el sistema de comunicación móvil de la microonda.
Los parámetros específicos se pueden diseñar según las exigencias del consumidor.
Usos:
Optimización de la red de comunicaciones móviles y sistema de distribución interior.
Especificaciones técnicas:
Artículos | bidireccional | de tres vías | 4-way |
Modelo NO. | VBE-S2 | VBE-S3 | VBE-S4 |
Gama de frecuencia (megaciclos) | 806~960 y 1710~2500 | ||
Pérdida de divisor (DB) | 3 | 4,8 | 6 |
Pérdida de inserción (DB) | ≤0.3 | ≤0.4 | ≤0.6 |
Directividad (DB) | ≥20 | ||
Intermodulación | ≥140dBc (+43dBm*2) | ||
V.S.W.R | ≤1.25 | ||
Impedancia (Ω) | 50 | ||
Manejo de la potencia (W) | 50 | ||
Conector del RF | N-femenino | ||
Temperatura de funcionamiento | -35 ºC del ºC ~+60 |