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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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HF excelente del FET 28V del transistor LDMOS del amplificador de potencia del Rf de la estabilidad de Theramal a 2.7GHz

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: VBE

Certificación: ISO

Número de modelo: VBE10R5

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1pcs

Detalles de empaquetado: embalaje neutral

Tiempo de entrega: 5-8 días laborables

Capacidad de la fuente: 10k

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Especificaciones
Alta luz:

transistor del RF del poder más elevado

,

transistor de poder de alta frecuencia

Condición:
A estrenar y original
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Descripción
HF excelente del FET 28V del transistor LDMOS del amplificador de potencia del Rf de la estabilidad de Theramal a 2.7GHz

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HF excelente del FET 28V del transistor LDMOS del amplificador de potencia del Rf de la estabilidad de Theramal a 2.7GHz 0

HF excelente del FET 28V del transistor LDMOS del amplificador de potencia del Rf de la estabilidad de Theramal a 2.7GHz 1

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